Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI7958DP-T1-E3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 40V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 7.2A |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Maksimum güç | 1.4W |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SO-8 Dual |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7956DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7956DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 | - | 21000 | ayrıntılar |
 |
SI7958DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7958DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |