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| Numero di parte | SI7958DP-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.4W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI7956DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI7956DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 | - | 21000 | Dettagli |
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SI7958DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI7958DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |