Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI4800BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 6.5A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Maks.) | ±25V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 1.3W (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 8-SO |
| Paket / Durum | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4800,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 0 | ayrıntılar |