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| Número de pieza | SI4800BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SI4800,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1 | - | 0 | Detalles |
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SI4800BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |