Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI4103DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 14A (Ta), 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 15V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 8-SO |
| Paket / Durum | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | - | 2500 | ayrıntılar |
 |
SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V SO-8 | - | 198445 | ayrıntılar |
 |
SI4104DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI4108DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC | - | 0 | ayrıntılar |