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| Numero di parte | SI4103DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | - | 2500 | Dettagli |
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SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V SO-8 | - | 198445 | Dettagli |
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SI4104DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4108DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |