Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SSM6J214FE(TE85L,F |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 3.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| Vgs (Maks.) | ±12V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 500mW (Ta) |
| Çalışma sıcaklığı | 150°C |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | ES6 |
| Paket / Durum | SOT-563, SOT-666 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 4000 | ayrıntılar | |
 |
SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | - | 4000 | ayrıntılar |
 |
SSM6J214FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH | - | 623675 | ayrıntılar |
 |
SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | - | 12000 | ayrıntılar |
 |
SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | - | 498940 | ayrıntılar |