| номер части | SSM6J214FE(TE85L,F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 560pF @ 15V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) |
| Рабочая Температура | 150°C |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | ES6 |
| Упаковка / чехол | SOT-563, SOT-666 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 4000 | подробности | |
 |
SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | - | 0 | подробности |
 |
SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | - | 0 | подробности |
 |
SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | - | 4000 | подробности |
 |
SSM6J214FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH | - | 623675 | подробности |
 |
SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | - | 12000 | подробности |
 |
SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | - | 498940 | подробности |
