Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | RN2910FE,LF(CT |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Transistör Tipi | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) | 100mA |
| Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Doygunluk (Maks) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) | 100nA (ICBO) |
| Frekans - Geçiş | 200MHz |
| Maksimum güç | 100mW |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | SOT-563, SOT-666 |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | ES6 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN2910FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 8000 | ayrıntılar |
 |
RN2910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 2459304 | ayrıntılar |
 |
RN2911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 9000 | ayrıntılar |
 |
RN2911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 0 | ayrıntılar |