RN2910FE,LF(CB

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2910FE,LF(CB P1
RN2910FE,LF(CB P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN2910FE,LF(CB

Parça numarası
RN2910FE,LF(CB
Üretici firma
Toshiba Semiconductor and Storage
Açıklama
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- RN2910FE,LF(CB PDF online browsing
Aile
Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Ön-Önyargılı
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası RN2910FE,LF(CB
Parça Durumu Active
Transistör Tipi 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 100mA
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 50V
Direnç - Taban (R1) (Ohm) 4.7k
Direnç - Verici Tabanı (R2) (Ohms) -
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Doygunluk (Maks) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 100nA (ICBO)
Frekans - Geçiş 200MHz
Maksimum güç 100mW
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SOT-563, SOT-666
Tedarikçi Aygıt Paketi ES6

ilgili ürünler

Tüm ürünler