BAS316,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
BAS316,H3F P1
BAS316,H3F P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ BAS316,H3F

Parça numarası
BAS316,H3F
Üretici firma
Toshiba Semiconductor and Storage
Açıklama
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- BAS316,H3F PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası BAS316,H3F
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 100V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 250mA
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.25V @ 150mA
hız Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 3ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 200nA @ 80V
Kapasitans @ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SC-76, SOD-323
Tedarikçi Aygıt Paketi USC
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı 150°C (Max)

ilgili ürünler

Tüm ürünler