BAS316,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
BAS316,H3F P1
BAS316,H3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ BAS316,H3F

Número de pieza
BAS316,H3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- BAS316,H3F PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza BAS316,H3F
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corriente - promedio rectificado (Io) 250mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.25V @ 150mA
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 3ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 200nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-76, SOD-323
Paquete de dispositivo del proveedor USC
Temperatura de funcionamiento - unión 150°C (Max)

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