MS2200

TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
MS2200 P1
MS2200 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ MS2200

Parça numarası
MS2200
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- MS2200 PDF online browsing
Aile
Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası MS2200
Parça Durumu Active
Transistör Tipi NPN
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 65V
Frekans - Geçiş 400MHz ~ 500MHz
Gürültü Şekli (dB Typ @ f) -
Kazanç 9.7dB
Maksimum güç 1167W
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 43.2A
Çalışma sıcaklığı 200°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum M102
Tedarikçi Aygıt Paketi M102

ilgili ürünler

Tüm ürünler