MS2200

TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
MS2200 P1
MS2200 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Microsemi Corporation ~ MS2200

Número de pieza
MS2200
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MS2200 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza MS2200
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 65V
Frecuencia - Transición 400MHz ~ 500MHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) -
Ganancia 9.7dB
Potencia - Max 1167W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 43.2A
Temperatura de funcionamiento 200°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja M102
Paquete de dispositivo del proveedor M102

Productos relacionados

Todos los productos