2N5416UA/TR

POWER BJT
2N5416UA/TR P1
2N5416UA/TR P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ 2N5416UA/TR

Parça numarası
2N5416UA/TR
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
POWER BJT
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- 2N5416UA/TR PDF online browsing
Aile
Transistörler - Bipolar (BJT) - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası 2N5416UA/TR
Parça Durumu Active
Transistör Tipi PNP
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 1A
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 300V
Vce Doygunluk (Maks) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 50µA
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Maksimum güç -
Frekans - Geçiş -
Çalışma sıcaklığı -65°C ~ 200°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum 4-SMD, No Lead
Tedarikçi Aygıt Paketi UA

ilgili ürünler

Tüm ürünler