2N5416UA/TR

POWER BJT
2N5416UA/TR P1
2N5416UA/TR P1
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Microsemi Corporation ~ 2N5416UA/TR

Artikelnummer
2N5416UA/TR
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER BJT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- 2N5416UA/TR PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2N5416UA/TR
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 300V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 4-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket UA

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