Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IPB072N15N3 G |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 150V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 100A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 5470pF @ 75V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 300W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Durum | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB070N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB072N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | - | 17000 | ayrıntılar |
 |
IPB072N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | - | 20799 | ayrıntılar |
 |
IPB072N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB075N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | 0 | ayrıntılar |