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| Número de pieza | IPB072N15N3 G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5470pF @ 75V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPB070N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | 0 | Detalles | |
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IPB072N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | - | 17000 | Detalles |
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IPB072N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | - | 20799 | Detalles |
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IPB072N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | - | 0 | Detalles |
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IPB073N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | 0 | Detalles | |
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IPB075N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | 0 | Detalles |