Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Diodes Incorporated ~ DMN2025UFDF-13

Parça numarası	DMN2025UFDF-13
Parça Durumu	Active
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	20V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Vgs (Maks.)	±10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	486pF @ 10V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	700mW (Ta)
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi	Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi	U-DFN2020-6
Paket / Durum	6-UDFN Exposed Pad

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	-	168600	ayrıntılar
DMN2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363	-	3000	ayrıntılar
DMN2004DWKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363	-	0	ayrıntılar
DMN2004K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3	-	24000	ayrıntılar
DMN2004TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523	-	0	ayrıntılar
DMN2004VK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563	-	3000	ayrıntılar
DMN2004WK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3	-	15000	ayrıntılar
DMN2004WKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323	-	225000	ayrıntılar
DMN2005DLP4K-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN	-	12000	ayrıntılar
DMN2005K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3	-	156000	ayrıntılar
DMN2005LP4K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN	-	57000	ayrıntılar
DMN2005LPK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN	-	6000	ayrıntılar