DMN2025UFDF-13

MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
DMN2025UFDF-13 P1
DMN2025UFDF-13 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DMN2025UFDF-13

品番
DMN2025UFDF-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMN2025UFDF-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMN2025UFDF-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12.3nC @ 10V
Vgs(最大) ±10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 486pF @ 10V
FET機能 -
消費電力(最大) 700mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ U-DFN2020-6
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad

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