Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | BAV116HWFQ-7 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Standard |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 85V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 215mA (DC) |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.25V @ 150mA |
| hız | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 3µs |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 5nA @ 75V |
| Kapasitans @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | SOD-123F |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | SOD-123F |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -65°C ~ 150°C |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 2500 | ayrıntılar |
 |
BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2421329 | ayrıntılar |
|
BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2656723 | ayrıntılar |
 |
BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAV102 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34 | - | 5000 | ayrıntılar |
 |
BAV102,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | ayrıntılar | |
 |
BAV102,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | ayrıntılar | |
 |
BAV102-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | - | 5000 | ayrıntılar |
 |
BAV102-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAV102-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF | - | 0 | ayrıntılar |