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| 부품 번호 | VS-GB150TH120N |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| IGBT 형 | - |
| 구성 | Half Bridge |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 300A |
| 전력 - 최대 | 1008W |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 150A |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 5mA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | No |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| 공급 업체 장치 패키지 | Double INT-A-PAK |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE MTP SWITCH | 0 | 세부 | |
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VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | 0 | 세부 | |
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VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |
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VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |
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VS-GB100NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |
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VS-GB100TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |
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VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |
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VS-GB100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |
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VS-GB100TP120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |
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VS-GB100TS60NPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |
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VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - ECONO IGBT | - | 160 | 세부 |
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VS-GB150LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK | - | 0 | 세부 |