VS-GB150TH120N

IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
VS-GB150TH120N P1
VS-GB150TH120N P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GB150TH120N

Numero di parte
VS-GB150TH120N
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- VS-GB150TH120N PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte VS-GB150TH120N
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 300A
Potenza - Max 1008W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitore Double INT-A-PAK

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