CSD19532Q5BT

MOSFET N-CH 100V 100A VSON
CSD19532Q5BT P1
CSD19532Q5BT P1
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Texas Instruments ~ CSD19532Q5BT

品番
CSD19532Q5BT
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET N-CH 100V 100A VSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 CSD19532Q5BT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 62nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4810pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.9 mOhm @ 17A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ -
サプライヤデバイスパッケージ 8-VSON (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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