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| Numero di parte | TPC8113(TE12L,Q) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 5.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPC8110(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B | - | 0 | Dettagli |
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TPC8111(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | Dettagli | |
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TPC8113(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | Dettagli | |
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TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B | - | 0 | Dettagli |