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| Número de pieza | TPC8113(TE12L,Q) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TPC8110(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B | - | 0 | Detalles |
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TPC8111(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | Detalles | |
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TPC8113(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | Detalles | |
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TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B | - | 0 | Detalles |