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| Numero di parte | TK3R1P04PL,RQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 87W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TK3R1A04PL,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 788 | Dettagli |
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TK3R1E04PL,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 675 | Dettagli |
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TK3R1P04PL,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK | - | 122507 | Dettagli |