TK3R1P04PL,RQ

MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
TK3R1P04PL,RQ P1
TK3R1P04PL,RQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK3R1P04PL,RQ

Artikelnummer
TK3R1P04PL,RQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TK3R1P04PL,RQ
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4670pF @ 20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 87W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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