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| Numero di parte | RN2306,LF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistore - Base (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 47k |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | USM |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RN21-I/RM | Microchip Technology | RF TXRX MODULE BLUETOOTH | 0 | Dettagli | |
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RN2101(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 3128 | Dettagli |
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RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 3000 | Dettagli |
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RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | - | 0 | Dettagli |
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RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | - | 0 | Dettagli |
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RN2102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 0 | Dettagli |
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RN2102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | - | 0 | Dettagli |
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RN2102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | - | 0 | Dettagli |
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RN2103(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 0 | Dettagli |
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RN2103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | - | 10000 | Dettagli |
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RN2103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | - | 0 | Dettagli |
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RN2103MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M | - | 26330 | Dettagli |