RN2306,LF

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
RN2306,LF P1
RN2306,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN2306,LF

Número de pieza
RN2306,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- RN2306,LF PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Parámetro del producto

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Número de pieza RN2306,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 4.7k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 200MHz
Potencia - Max 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor USM

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