Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | S5MBHM4G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
S5M M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 5A DO214AB | - | 404397 | Dettagli |
|
S5M R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB | - | 356251 | Dettagli |
|
S5M V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 5A DO214AB | - | 561419 | Dettagli |
|
S5M V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB | - | 449128 | Dettagli |
 |
S5M-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB | - | 27200 | Dettagli |
 |
S5M-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB | - | 0 | Dettagli |
 |
S5M-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 5A 1000V DO-214AB | - | 0 | Dettagli |
 |
S5M-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 5A 1000V DO-214AB | - | 0 | Dettagli |
|
S5MB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 5A DO214AA | - | 601792 | Dettagli |
|
S5MB R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA | - | 481433 | Dettagli |
|
S5MBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 5A DO214AA | - | 564644 | Dettagli |
|
S5MBHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 5A DO214AA | - | 534926 | Dettagli |