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| Numero di parte | BYV52-200 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 30A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 20A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 200V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-218-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-93 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | - | 5000 | Dettagli |
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BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/ | - | 0 | Dettagli |
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BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F | - | 0 | Dettagli |
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BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 | - | 0 | Dettagli |
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BYV12-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV12-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV13-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV13-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV14-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV14-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV15-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV15-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |