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| Numero di parte | BYV13-TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Avalanche |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | - | 5000 | Dettagli |
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BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/ | - | 0 | Dettagli |
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BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F | - | 0 | Dettagli |
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BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 | - | 0 | Dettagli |
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BYV12-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV12-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV13-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV13-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV14-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV14-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV15-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV15-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Dettagli |