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| Numero di parte | SCT3105KLGC11 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 137 mOhm @ 7.6A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.81mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 18V |
| Vgs (massimo) | +22V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 574pF @ 800V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 134W |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247N |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3105KLGC11 | Rohm Semiconductor | SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR | - | 3704 | Dettagli |
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SCT3105KLHRC11 | Rohm Semiconductor | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P | - | 3324 | Dettagli |
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SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | MOSFET NCH 650V 21A TO247N | - | 622 | Dettagli |
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SCT3120ALHRC11 | Rohm Semiconductor | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P | - | 5260 | Dettagli |
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SCT3160KLGC11 | Rohm Semiconductor | MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N | - | 0 | Dettagli |
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SCT3160KLHRC11 | Rohm Semiconductor | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P | - | 5012 | Dettagli |