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| Número de pieza | SCT3105KLGC11 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 137 mOhm @ 7.6A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.81mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 574pF @ 800V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 134W |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247N |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3105KLGC11 | Rohm Semiconductor | SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR | - | 3704 | Detalles |
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SCT3105KLHRC11 | Rohm Semiconductor | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P | - | 3324 | Detalles |
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SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | MOSFET NCH 650V 21A TO247N | - | 622 | Detalles |
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SCT3120ALHRC11 | Rohm Semiconductor | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P | - | 5260 | Detalles |
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SCT3160KLGC11 | Rohm Semiconductor | MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N | - | 0 | Detalles |
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SCT3160KLHRC11 | Rohm Semiconductor | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P | - | 5012 | Detalles |