EMB4T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB4T2R P1
EMB4T2R P2
EMB4T2R P1
EMB4T2R P2
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Rohm Semiconductor ~ EMB4T2R

Numero di parte
EMB4T2R
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
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Numero di parte EMB4T2R
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) -
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore EMT6

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