EMB4T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB4T2R P1
EMB4T2R P2
EMB4T2R P1
EMB4T2R P2
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Rohm Semiconductor ~ EMB4T2R

Número de pieza
EMB4T2R
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza EMB4T2R
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) -
Frecuencia - Transición 250MHz
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor EMT6

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