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| Numero di parte | PMDXB1200UPEZ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 410mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 43.2pF @ 15V |
| Potenza - Max | 285mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PMDXB1200UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN | 10000 | Dettagli | |
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PMDXB550UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | 5000 | Dettagli | |
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PMDXB600UNE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | 25000 | Dettagli | |
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PMDXB600UNELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF | 0 | Dettagli | |
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PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | 25000 | Dettagli | |
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PMDXB950UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | 0 | Dettagli | |
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PMDXB950UPELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF | 0 | Dettagli | |
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PMDXB950UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | 10000 | Dettagli |