Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMDXB1200UPEZ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 410mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 43.2pF @ 15V |
| Leistung max | 285mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN1010B-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDXB1200UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN | 10000 | Einzelheiten | |
 |
PMDXB550UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | 5000 | Einzelheiten | |
 |
PMDXB600UNE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | 25000 | Einzelheiten | |
 |
PMDXB600UNELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF | 0 | Einzelheiten | |
 |
PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | 25000 | Einzelheiten | |
 |
PMDXB950UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | 0 | Einzelheiten | |
 |
PMDXB950UPELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF | 0 | Einzelheiten | |
 |
PMDXB950UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | 10000 | Einzelheiten |