APTM50DSK10T3G

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
APTM50DSK10T3G P1
APTM50DSK10T3G P1
Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.

Microsemi Corporation ~ APTM50DSK10T3G

Numero di parte
APTM50DSK10T3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- APTM50DSK10T3G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
  • In stock $ Quantità pz
  • Prezzo di riferimento : submit a request

Invia una richiesta di preventivo su quantità maggiori di quelle visualizzate.

Parametro del prodotto

Tutti i prodotti

Numero di parte APTM50DSK10T3G
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 37A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4367pF @ 25V
Potenza - Max 312W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3

prodotti correlati

Tutti i prodotti