APTM50DSK10T3G

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
APTM50DSK10T3G P1
APTM50DSK10T3G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTM50DSK10T3G

Artikelnummer
APTM50DSK10T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer APTM50DSK10T3G
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 37A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4367pF @ 25V
Leistung max 312W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3

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