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| Numero di parte | APTGTQ150TA65TPG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
| Potenza - Max | 365W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 150A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 150µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6-P |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APTGTQ100A65T1G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1592 | Dettagli |
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APTGTQ100DA65T1G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1992 | Dettagli |
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APTGTQ100DDA65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1322 | Dettagli |
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APTGTQ100H65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1055 | Dettagli |
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APTGTQ100SK65T1G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1992 | Dettagli |
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APTGTQ150TA65TPG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 474 | Dettagli |
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APTGTQ200A65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1055 | Dettagli |
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APTGTQ200DA65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1322 | Dettagli |
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APTGTQ200SK65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1322 | Dettagli |
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APTGTQ50TA65T3G | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 1311 | Dettagli |