APTGTQ150TA65TPG

POWER MODULE - IGBT
APTGTQ150TA65TPG P1
APTGTQ150TA65TPG P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGTQ150TA65TPG

номер части
APTGTQ150TA65TPG
производитель
Microsemi Corporation
Описание
POWER MODULE - IGBT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGTQ150TA65TPG PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGTQ150TA65TPG
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 150A
Мощность - макс. 365W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 150µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 9nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика SP6-P

сопутствующие товары

Все продукты