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| Numero di parte | APT58M50JU2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 543W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 32 | Dettagli |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 0 | Dettagli |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | - | 63 | Dettagli |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | - | 23 | Dettagli |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 49 | Dettagli |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 2 | Dettagli |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 83 | Dettagli |
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APT5010LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 69 | Dettagli |
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APT5012JN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP | 0 | Dettagli | |
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APT5014B2VRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V T-MAX | - | 0 | Dettagli |
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APT5014BLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 | - | 7 | Dettagli |
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APT5014SLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK | - | 0 | Dettagli |