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| Número de pieza | APT58M50JU2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 58A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 543W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 32 | Detalles |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 0 | Detalles |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | - | 63 | Detalles |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | - | 23 | Detalles |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 49 | Detalles |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 2 | Detalles |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 83 | Detalles |
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APT5010LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 69 | Detalles |
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APT5012JN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP | 0 | Detalles | |
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APT5014B2VRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V T-MAX | - | 0 | Detalles |
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APT5014BLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 | - | 7 | Detalles |
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APT5014SLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK | - | 0 | Detalles |