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Microsemi Corporation ~ APT5010JVRU2

Número de pieza	APT5010JVRU2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	44A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	312nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7410pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 22A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	-	32	Detalles
APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	-	0	Detalles
APT5010JLLU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227	-	63	Detalles
APT5010JLLU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT227	-	23	Detalles
APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	-	49	Detalles
APT5010JVRU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	-	2	Detalles
APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	-	83	Detalles
APT5010LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	-	69	Detalles
APT5012JN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP		0	Detalles
APT5014B2VRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V T-MAX	-	0	Detalles
APT5014BLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 35A TO-247	-	7	Detalles
APT5014SLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK	-	0	Detalles