IXTK90P20P

MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
IXTK90P20P P1
IXTK90P20P P1
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IXYS ~ IXTK90P20P

Numero di parte
IXTK90P20P
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTK90P20P
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 205nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA

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