IXTK102N30P

MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
IXTK102N30P P1
IXTK102N30P P1
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IXYS ~ IXTK102N30P

Numero di parte
IXTK102N30P
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- IXTK102N30P PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTK102N30P
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA

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