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| Numero di parte | IRF8707GTRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 11A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRF8707GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8707GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 4000 | Dettagli | |
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IRF8707PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8714GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8714GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8714PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 3334 | Dettagli | |
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IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 4000 | Dettagli | |
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IRF8721GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8721GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8721PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 4000 | Dettagli |