Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | IRF8714GPBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 14A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8113GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
 |
IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
 |
IRF820 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
 |
IRF820A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB | - | 0 | Dettagli |